30-01-2014

Materials magnètics amb bona memòria

Investigadors de l’Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), en col·laboració amb laboratoris dels Estats Units i de la República Txeca, han demostrat que és possible utilitzar els materials anomenats antiferromagnètics, per emmagatzemar informació. Actualment, la informació en la majoria d’ordinadors, càmeres fotogràfiques, targetes de crèdit o targetes de transport, entre d’altres, es guarda en forma de “zeros” i “uns” definits per l’orientació del moment magnètic. Si apropem un imant a una targeta de memòria, s’alterarà el moment magnètic i es perdrà la informació emmagatzemada. Com que al nostre voltant hi ha molts camps magnètics, el risc pot ser elevat en alguns llocs.

En canvi, els materials antiferromagnètics estan constituïts per moltes petites “brúixoles” (moments magnètics) que apunten alternativament en direccions oposades, dirigits segons direccions ben precises en el material i que no poden ser pertorbades per imants convencionals. Així, aquests materials no s’alteren per camps magnètics externs i podrien constituir memòries molt robustes. El problema és que com que no es poden modificar fàcilment amb camps magnètics, tampoc no s’hi pot escriure informació.

El descobriment de l’equip del doctor Josep Fontcuberta i els seus col·legues consisteix a usar uns materials que, amb un lleuger canvi de temperatura fàcilment assolible i controlable, passen de ser antiferromagnètics a ferromagnètics. Així, la informació s’escriu en la fase ferromagnètica i, després, els materials es refreden i passen a la fase antiferromagnètica, en què l’orientació dels moments magnètics i, per tant, la informació, queda fixada.

Marta Alegret (Universitat de Barcelona)

Enllaços

Escriu el teu comentari